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Mitsubishi Electric desarrolla tecnología de simulación de circuitos de alta precisión para este MOSFET de carburo de silicio 2020-07-11

Mitsubishi Electric desarrolla un circuito de alta precisión


Tecnología de simulación para este MOSFET de carburo de silicio





Recientemente, en la exposición PCIM Europe 2020 celebrada en línea, Mitsubishi Electric anunció el desarrollo de un modelo de programa de simulación general de circuitos integrados (SPICE) de alta precisión para analizar los circuitos electrónicos de semiconductores/dispositivos de potencia discretos.



Mitsubishi dijo que la forma de onda de conmutación de alta velocidad simulada por el modelo es casi la misma que el resultado de la medición real. Esta precisión actualmente no tiene comparación con otras tecnologías en la industria, y se espera que brinde un diseño de circuito más eficiente al convertidor de potencia.



Al mismo tiempo, Mitsubishi Electric también planea continuar agregando varios parámetros relacionados con la temperatura, para que el modelo SPICE también pueda funcionar normalmente a altas temperaturas.


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